esd失效分析-esd失效的两大类型

2025-08-21 16:51:18
作者: 四维检测
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? ESD失效分析:两大失效类型及机理解析 ?

静电放电(ESD)是电子产品失效的“隐形杀手”,其危害不仅体现在突发性完全失效(Hard Failure),更在于难以察觉的潜在性损伤(Latent Defect)。作为检测工程师,掌握ESD失效的分类与机理,是提升产品可靠性的关键!


一、ESD失效的两大类型

1️⃣ 突发性完全失效(硬失效)

  • 定义:器件因ESD直接导致功能丧失,表现为参数骤变或肉眼可见损伤(如烧焦、开路)。
  • 占比:约占失效总数的10%
  • 典型表现
    • 介质击穿:如MOS器件栅氧层短路(Gate Oxide Breakdown)。
    • 热熔断:金属互连线(Al线)因焦耳热熔断(Joule Heating)。
    • PN结失效:双极型器件因电流集中导致局部熔融。
  • 检测方式:通过显微镜、IV曲线测试或SEM/EDS快速定位故障点。

2️⃣ 潜在性损伤(软失效)

  • 定义:器件功能暂时正常,但参数逐渐退化,最终演变为完全失效。
  • 占比:高达90%(知识库[1][8]),隐蔽性强,易被忽视。
  • 典型表现
    • 漏电流增加:如栅氧层局部损伤导致漏电流从10⁻⁹ A升至10⁻⁶ A。
    • 阈值电压漂移:MOSFET导通电压升高,影响电路稳定性。
    • 寿命缩短:多次低能量ESD累积损伤,加速器件老化。
  • 检测难点:需通过CURVE TRACER或参数测试仪捕捉微小变化。

二、失效机理:电失效 vs. 热失效 ?️⚡

1. 过电压场致失效(电失效)

  • 原理:ESD高压超过介质临界电场强度,引发绝缘层击穿(如SiO₂氧化层破坏)。
  • 案例:MESFET器件因栅极-源极短路彻底失效。

2. 过电流热致失效(热失效)

  • 原理:ESD大电流产生焦耳热,局部温度骤升(可达>1000℃),导致材料熔融或烧断。
  • 案例:铝互连线因热应力断裂,引发电路开路。

三、失效分析的关键步骤 ?

  1. 定位故障点

    • 形貌观察:SEM/EDS检测击穿点或金属熔融痕迹。
    • 电流分布分析:使用EMMI(电子空穴发光)定位热点。
  2. 失效机理验证

    • 参数测试:对比IV曲线、漏电流等指标变化。
    • 热成像:识别局部过热区域(如OBIRCH技术)。
  3. 改进建议

    • 设计优化:增加ESD防护电路(如TVS二极管)。
    • 工艺控制:降低镀层缺陷率,提升氧化层厚度(≥2nm)。


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