电路失效分析

2025-08-19 16:56:09
作者: 四维检测
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电路失效分析概述

电路失效分析是对电子电路或集成电路在设计、制造、使用过程中因功能丧失、性能退化或异常行为导致的失效现象进行系统研究的过程。其核心目标是通过科学手段(如电学测试、显微结构分析、热成像、化学成分检测等)定位失效根源(如设计缺陷、工艺问题、材料老化或环境应力),提出改进措施,从而提升电路的可靠性、安全性和使用寿命。失效分析不仅用于故障诊断,还为电路设计优化、工艺改进和质量控制提供关键依据。


测试目的

  1. 失效机理诊断:明确失效形式(如短路、开路、漏电、热失效等)及根本原因(如材料杂质、焊接缺陷、过电应力)。
  2. 设计与工艺优化:指导电路设计改进(如布局优化、冗余设计)或制造工艺调整(如焊接参数优化、封装工艺强化)。
  3. 可靠性验证:评估电路在极端环境(高温、高湿、电磁干扰)下的抗失效能力。
  4. 质量控制与风险预防:降低批量故障率、维修成本及安全事故风险。

适用范围

  1. 汽车电子:车载控制系统、电池管理系统(BMS)、传感器模块的失效诊断。
  2. 消费电子:智能手机、笔记本电脑、智能穿戴设备的电路板失效分析。
  3. 航空航天:飞行控制系统、卫星通信模块的高可靠性失效评估。
  4. 通信设备:5G基站、光模块、射频电路的失效机理研究。
  5. 工业控制:PLC、变频器、工业传感器的电路可靠性验证。
  6. 医疗电子:医疗影像设备、植入式电子器件的失效风险分析。

测试方法

非破坏性分析

  1. X-Ray检测
    • 检测焊点完整性、空洞率、IC封装裂纹。
    • 适用于BGA、QFN等封装形式的缺陷识别。
  2. 超声扫描(SAT)
    • 通过超声波反射定位分层、空洞或裂纹。
    • 适用于塑封IC、PCB的内部缺陷检测。
  3. 红外热成像(IR)
    • 检测局部过热区域,识别异常功耗或短路热点。
  4. EMMI(发光显微镜)
    • 非破坏性定位电路中的漏电、短路或热点(如闩锁效应)。

破坏性分析

  1. 开封与去层分析
    • 通过化学或机械方法去除封装材料,暴露芯片或电路层。
    • 结合SEM/EDS分析缺陷(如金属桥接、腐蚀)。
  2. 聚焦离子束(FIB)
    • 精确切割电路层,定位微观缺陷(如通孔空洞、线路断裂)。
  3. 电学测试
    • 参数测试:测量电压、电流、电阻等参数异常。
    • 时序分析:捕捉信号延迟或时序错误。
  4. 扫描电镜(SEM)+能谱分析(EDS)
    • 观察微观形貌(如裂纹扩展路径)并分析成分(如污染物)。

环境模拟与可靠性测试

  1. 温度循环试验
    • 模拟热应力导致的焊点疲劳、材料膨胀差异失效。
  2. 湿度与盐雾试验
    • 评估电路在潮湿环境下的腐蚀与绝缘性能退化。
  3. 功率循环试验
    • 测试器件在反复开关状态下的热疲劳失效(如IGBT模块)。

常用标准组分

  1. 国际标准
    • ASTM:ASTM F1059(电子器件失效分析通用程序)、ASTM E1820(断裂韧性测试)。
    • ISO:ISO 9001(质量管理体系)、ISO 12107(金属疲劳试验)。
    • IEC:IEC 61508(功能安全标准)、IEC 60068(环境试验系列)。
  2. 国家标准
    • GB/T 228.1:金属拉伸试验方法(适用于材料失效关联分析)。
    • GB/T 4161:金属材料断裂韧性测试(适用于封装材料失效)。
    • GB/T 10128:金属室温扭转试验(适用于连接件力学性能验证)。
  3. 行业标准
    • IPC:IPC-A-610D(电子组件可接受性标准)、IPC-J-STD-020(湿敏器件标准)。
    • GJB:GJB 548C-2021(军用电子器件失效分析方法)。


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