FIB技术的出现实现了超大规模集成电路在失效分析对失效部位的精密定位，是大规模集成电路失效分析的基础。现在FIB 的加工精度可达到深亚微米级、纳米级，极大程度上提高了EDX的成分分析，能针对样品中的微细结构进行纳米尺度的定位及观察。
服务挑战
随着集成电路技术的不断发展，其芯片的特征尺寸变得越来越小，器件的结构越来越复杂，与之相应的芯片工艺诊断、失效分析、器件微细加工也变得越来越困难，传统的分析手段已经难以满足集成电路器件向深亚微米级、纳米级技术发展的需要。FIB技术的出现实现了超大规模集成电路在失效分析对失效部位的精密定位，是大规模集成电路失效分析的基础。现在FIB的加工精度可达到深亚微米级、纳米级，极大程度上提高了EDX的成分分析，能针对样品中的微细结构进行纳米尺度的定位及观察。
服务内容
双束聚焦离子束Dual Beam FIB
Dual Beam FIB:(双束聚焦离子束)机台能在使用离子束切割样品的同时，用电子束对样品断面(剖面)进行观察，亦可进行EDX的成分分析，能针对样品中的微细结构进行纳米尺度的定位及观察。离子束最大电流可达65nA，快速的切削速度能有效缩短取得数据的时间。
解决方案
设备能力
●Circuit Edit芯片线路修改
●Cross-section纳米切片制样
●SEM &EDX高分辨电子扫面显微镜 & EDX能谱分析
Vendor | Thermo Fisher (USA) |
Model | Helios 5 CX |
Spec | Electron beam resolution • At optimum WD:
0.6 nm at 30 kV STEM
0.6 nm at 15 kV
1.0 nm at 1 kV
0.9 nm at 1 kV with beam deceleration* • coincident point:
0.6 nm at 15 kV
1.5 nm at 1 kV with beam deceleration* and DBS* |
Dual Beam FIB工作原理简介
聚焦离子束(FIB)系统利用镓离子源和双透镜聚焦柱，用强烈的聚焦离子束轰击标本表面，以进行精密材料去除、沉积和高分辨率成像。
简单来说是聚合了FIB处理样品和SEM观察成相的功能。其中FIB是将Ga元素离子化离子化成Ga+，然后利用电场加速，再利用静电透镜聚焦将，将高能量的Ga+打到指定点从而达到处理样品的功能。
